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18002 Nb掺杂导致LaMnO3绝缘体-金属转变的第一性原理研究 徐胜,朱自猛,顾艳妮,陈娟,张小立,吴小山 2018,35(5):834-838
17046 Zn3V2O8和Zn2V2O7的电子结构与光学性能的第一性原理研究 张晓明,罗姣莲 2018,35(5):839-844
17121 新型稀磁半导体Mn掺LiCaP的磁电性质 庞星星,赵世暖,叶丹,饶文,徐建,杜成旭,陈婷,毋志民 2018,35(5):845-852
18027 掺杂Si/SiO2界面电子结构与光学性质的第一性原理研究 顾芳,孙亚飞,张加宏,何鹏翔,王丽阳 2018,35(5):853-860
18028 锗烯在金属衬底上的结构及电子性质的 第一性原理研究 佘彦超,罗开武,李勇 2018,35(5):861-866
18021 Y,Zr,Nb 掺杂 SnO2电子结构的第一性原理研究 伏春平,孙凌涛 2018,35(5):867-870
18014 H_ O_ N_ He原子掺杂Al原子的 第一性原理研究 唐崛,姬国勋,李振,丁雄,陈旭丹 2018,35(5):871-878
17132 非简谐振动对SiC的热膨胀系数数和介电性能的影响 周虹君 2018,35(5):879-883
17113 钴铝共掺3C-SiC电子结构和磁性的第一性原理计算 李鑫,范梦慧,杨云飞,谢泉 2018,35(5):884-890
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