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Cu、N空位对Cu3N的电子结构、电学和光学性能影响的第一性原理研究
Effect of Cu and N Vacancies on the Electronic Structure, Electrical and Optical Properties of Cu3N : A First-principles Calculations
摘要点击 25  全文点击 8  投稿时间:2016-12-12  修订日期:2017-01-15
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DOI编号  
中文关键词   空位Cu3N  电子结构  电学性质  光学性质
英文关键词   Cu3N with vacancy  electronic structures  electrical properties  optical properties
基金项目   国家自然科学基金项目(51372119、51172110);湖北省自然科学基金项目(2014CFB619, 2014CFB342);湖北民族学院博士启动基金项目(MY2012B006)
作者单位E-mail
李强 湖北民族学院 magnetic_fluid@yahoo.com 
谭兴毅 湖北民族学院理学院  
杨永明 湖北民族学院理学院  
任达华 湖北民族学院理学院  
李兴鳌 南京邮电大学理学院  
中文摘要
    本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了立方相Cu3N晶体中含Cu、N空位体系的稳定性、电学、光学性能。研究结果表明含Cu空位和N空位体系的结构比较稳定,Cu空位和N空位降低了体系的导电性,但增加了体系的透射率;含Cu空位和N空位体系的禁带宽度均大于Cu3N体系,说明实验中制备的Cu3N有时表现为绝缘体的可能原因为体系中存在Cu空位或N空位。
英文摘要
    In the paper, The stability, electronic structure, electrics and optical properties of Cu3N with Cu and N vacancy systems, VCu-Cu3N and VN-Cu3N, have been studied based on the density functional theory of the first-principles calculation method. The results show that the VCu-Cu3N and VN-Cu3N systems are relatively stable. There is a decline in the electrical properties of VCu-Cu3N and VN-Cu3N systems, but there is a rise in the optical properties of the two systems. The energy band gaps in VCu-Cu3N and VN-Cu3N systems are bigger than that of Cu3N system. It is suggested that the experimental prepared pure Cu3N is insulation materials due to they with Cu or N vacancies.

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