首 页  |  期刊简介  |  投稿须知  |  专家审稿  |  编者登陆  |  公告信息  |  联系我们
 
外压条件下TaN及Ta-Si-N结构相变的第一性原理研究
First-principles studies on phase transition of TaN and Ta-Si-N under extra pressure
摘要点击 75  全文点击 20  投稿时间:2017-09-27  修订日期:2017-10-23
查看全文  查看/发表评论  下载PDF阅读器
DOI编号  
中文关键词   第一性原理  TaN、Ta-Si-N  外圧力  相变
英文关键词   First- principles  TaN,Ta-Si-N  Extra pressure  Phase transition
基金项目   国家自然科学基金,省市自然科学基金
作者单位E-mail
谭心 内蒙古科技大学 1023684321@qq.com 
侯壮壮 内蒙古科技大学  
董轶楠 内蒙古科技大学  
刘尧尧 内蒙古科技大学  
刘铁棒 内蒙古科技大学  
中文摘要
    利用基于第一性原理密度泛函理论的赝势平面波方法,对TaN、Ta-Si-N的B1型(NaCl)和B2型 (CsCl)复合结构在压力下的的力学常数、体积-能量关系、焓-压关系以及声子色散关系图进行了计算和研究,并分析了他们的相对稳定性。根据计算结果,推断在90—110 GPa左右压力时,Ta-N薄膜将会发生由B1型向B2型的相变,且材料脆性增加;当压力在190—200GPa的范围内,Ta-Si-N薄膜也将发生B1—>B2型的结构转变,由延展性材料压变为脆性材料。
英文摘要
    The mechanical constants, volume energy curve, enthaly-pressure relation, phonon dispersion relations and relative stability of B1 and B2 types of TaN and Ta-Si-N films under pressures were calculated and studied using the plane wave pseudopotential method based on density functional theory(DFT). The results show that the phase transition of TaN film from B1 type to B2 type may occur in the pressure range of 90-110GPa and material would become more brittle; B1 type of Ta-Si-N film would transform into B2 type in 190-200GPa and it would be pressured into brittle material from ductile one.

您是第 2909896 位访客
版权所有 @ 2006《原子与分子物理学报》编辑部
通讯地址:四川省成都市武侯区四川大学收发服务中心378号信箱   邮编:610065
电话:3094757965  传真:  E-mail:jamp@scu.edu.cn
本系统由北京勤云科技发展有限公司设计