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RbSinq(n=2-12;q=±1)团簇结构、稳定性与电子性质的理论研究
Theoretical study on the structures, stability and electronic properties of RbSinq(n=2-12;q=±1) clusters
摘要点击 162  全文点击 60  投稿时间:2017-10-08  修订日期:2017-12-05
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DOI编号  
中文关键词   RbSin±1团簇  基态结构  电子性质
英文关键词   RbSin±1 clusters  geometric structure  electronic properties
基金项目   省市自然科学基金
作者单位E-mail
哈申图雅 通辽职业学院 2392620929@qq.com 
张帅 河南省南阳师范学院 cug_zhang@163.com 
王翀 南阳师范学院  
李根全 南阳师范学院  
中文摘要
    运用密度泛函理论中的杂化密度泛函B3LYP方法,对RbSinq(n=2-12;q=±1)进行了系统的研究。结果发现:大多数RbSin±1团簇的基态结构与对应中性RbSin团簇的结构不相同,这与电离势及电子亲和能的讨论结果相吻合;得失电子明显提高了体系的稳定性,RbSi2,5+1与RbSi2,5,10-1分别是对应团簇中的相对稳定结构;Rb原子总是占有正电荷并且其内部发生了spd杂化。最后讨论了团簇的极化率与HOMO-LUMO能隙之间的关系。
英文摘要
    The effect of Rb atoms doping on the geometries, and electronic properties of charged silicon clusters RbSinq(n=2-12;q=±1) has been studied in detail using the density functional theory at B3LYP level. Compared with RbSin clusters, the geometric structures of ground state RbSin±1 clusters show different appearance, which are in line with the calculated ionization potential and electron affinity values. The analysis of stability revealed that the RbSi2,5+1与RbSi2,5,10-1 have more stable feature in all studied clusters and attachment or detachment of one electron enhance the chemical stabilities of RbSinq clusters. The analysis of internal charge transfer shown that the Rb atoms always possess the positive charge and strong spd hybridization exists in the Rb atoms. Finally, the relationship between static polarizability and HOMO-LUMO gaps are discussed.

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