首 页  |  期刊简介  |  投稿须知  |  专家审稿  |  编者登陆  |  公告信息  |  联系我们  |  English
引用本文格式: Wang Li,Zhang Jin-Min,Zhong Yi,He Ten,Wang Kun,Xie Quan. First principles study of electronic structures and optical properties of B doped Mn4Si7 [J]. J. At. Mol. Phys., 2020, 37: 296 (in Chinese) [王立,张晋敏,钟义,贺腾,王坤,谢全. 第一性原理研究B掺杂Mn4Si7的电子结构和光学性质 [J]. 原子与分子物理学报, 2020, 37: 296]
 
第一性原理研究B掺杂Mn4Si7的电子结构和光学性质
First principles study of electronic structures and optical properties of B doped Mn4Si7
摘要点击 55  全文点击 10  投稿时间:2018-10-09  修订日期:2018-11-01
查看全文  查看/发表评论  下载PDF阅读器
DOI编号   
中文关键词   第一性原理  掺杂  高锰硅Mn4Si7  电子结构  光学性质  
英文关键词   First Principles  Doped  High Manganese Silicon Mn4Si7  Electronic Structure  Optical Properties
基金项目   贵州省自然科学基金(黔科合基础[2018]1028);贵州大学研究生重点课程(贵大研ZDKC [2015]026);国家自然科学基金项目(批准号:61264004);贵州省教育厅“125”重大科技专项项目(批准号:黔教合重大专项字[2012]003)、贵州省高层次创新型人才培养项目(黔科合人才(2015)4015 )
作者单位E-mail
王立 贵州大学大数据与信息工程学院 贵州大学新型光电子材料与技术研究所 991579724@qq.com 
张晋敏 贵州大学大数据与信息工程学院 贵州大学新型光电子材料与技术研究所 jmzhang@ gzu. edu. cn 
钟义 贵州大学大数据与信息工程学院 贵州大学新型光电子材料与技术研究所 1752964328@qq.com 
贺腾 贵州大学大数据与信息工程学院 贵州大学新型光电子材料与技术研究所 136109725@qq.com 
王坤 贵州大学大数据与信息工程学院 贵州大学新型光电子材料与技术研究所 386722572@qq.com 
谢全 贵州大学大数据与信息工程学院 贵州大学新型光电子材料与技术研究所  
中文摘要
    采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,对未掺杂及B掺杂Mn4Si7的电子结构和光学性质进行理论计算。研究结果表明,未掺杂Mn4Si7是间接带隙半导体,其禁带宽度为0.786 eV,B掺杂后其禁带宽度下降为0.723 eV;B掺杂Mn4Si7是p型半导体材料;未掺杂Mn4Si7在近红外区的吸收系数达到105 cm-1,B掺杂引起Mn4Si7的折射率、吸收系数、反射系数及光电导率增加。 关键词:第一性原理; 掺杂; 高锰硅Mn4Si7;电子结构;光学性质;
英文摘要
    The electronic structures and optical properties of undoped and B-doped Mn4Si7 were calculated by the first-principles calculation method based on density functional theory. The results show that undoped Mn4Si7 is an indirect band gap semiconductor, and its band gap width is 0.786 eV. The band gap width decreases to 0.723 eV after B doping. B doped Mn4Si7 is a p-type semiconductor material. The absorption coefficient of undoped Mn4Si7 in the near infrared region is 105cm-1. The refractive index, absorption coefficient, reflection coefficient and photoconductivity of Mn4Si7 increase with B doping.

您是第 3295010 位访客
版权所有 @ 2006《原子与分子物理学报》编辑部
通讯地址:四川省成都市四川大学原子与分子物理研究所   邮编:成都 610065
电话:QQ: 3094757965  传真:  E-mail:jamp@scu.edu.cn
本系统由北京勤云科技发展有限公司设计