首 页  |  期刊简介  |  投稿须知  |  专家审稿  |  编者登陆  |  公告信息  |  联系我们  |  English
引用本文格式: Xu Xiang-Fu,Lei Lu-Jun,Li Tian-Le,Zhu Wei-Ling,Chen Xing-Yuan. Influence of Various surface passivations on bond length and band structure for Si-Ge alloy nanowires [J]. J. At. Mol. Phys., 2019, 36: 946 (in Chinese) [徐祥福,雷露军,李天乐,朱伟玲,陈星源. 表面修饰对硅锗合金纳米线的内部键长分布及能带影响的机理研究 [J]. 原子与分子物理学报, 2019, 36: 946]
 
表面修饰对硅锗合金纳米线的内部键长分布及能带影响的机理研究
Influence of Various surface passivations on bond length and band structure for Si-Ge alloy nanowires
摘要点击 77  全文点击 19  投稿时间:2018-12-26  修订日期:2019-02-27
查看全文  查看/发表评论  下载PDF阅读器
DOI编号   
中文关键词   第一性原理  硅锗合金纳米线  表面修饰官能团  键长再分布
英文关键词   First principle  Si-Ge alloy nanowires  surface passivation  band length redistribu
基金项目   国家自然科学基金(61475195,11547201); 广东省自然科学基金(2015A030313873)
作者单位E-mail
徐祥福 广东石油化工学院 应用物理系 xuxiangfu@gdupt.edu.cn 
雷露军 广东石油化工学院 291959716@qq.com 
李天乐 广东石油化工学院 litianle@gdupt.edu.cn 
朱伟玲 广东石油化工学院 zhuweiling@gdupt.edu.cn 
陈星源 广东石油化工学院 chenxingyuan@gdupt.edu.cn 
中文摘要
    采用密度泛函第一性原理方法,研究了三种不同官能团修饰对硅锗<111>方向纳米线内部键长分布的不均匀性及能带影响,计算结果表明CH3修饰加剧了键长分布不均性,与其它两个官能团相比,键长峰值弱化,键长范围扩大,也就是键长发生了再分布,F修饰对键长表现出了拉力效应,但并没有引起键长的再分布. 同时,通过计算电子性质,以H修饰纳米线为参考,因不同官能团修饰对键长不均匀性的影响不同,使能带Z点位置下移幅度不同,CH3修饰纳米线下移幅度最大,F次之,H修饰的下移幅度最小,这为利用不均匀性调控电子结构提供了理论依据.
英文摘要
    The effect of three various surface passivations on the <111> orientation Si-Ge alloy nanowires` structural inhomogeneity was studied by the first principle. The calculated results show that CH3 surface passivation aggravates the structure inhomogeneity and leads to the bond length redistributed. The F modification shows the tensile stress response to the bond length, without causing the redistribution of the bond length. Moreover, the effects of different functional group modifications on the intrinsic inhomogeneity are different by calculating the electron density and using H modified nanowires as reference, which lead the Z point position of the energy band to move down differently. CH3 surface passivation makes the maximum Z point down. These conclusions could provide a theoretical reference for the use of inhomogeneity to regulate the electronic structure of Si-Ge alloy nanowires.

您是第 3215970 位访客
版权所有 @ 2006《原子与分子物理学报》编辑部
通讯地址:四川省成都市四川大学原子与分子物理研究所   邮编:成都 610065
电话:QQ: 3094757965  传真:  E-mail:jamp@scu.edu.cn
本系统由北京勤云科技发展有限公司设计