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引用本文格式: Wang Jie,Xu Yan,Liu Gui-Peng,Tian Yong-Hui,Yang Jian-Hong. Band structure of monolayer black phosphorus under different intraplanar biaxial strain [J]. J. At. Mol. Phys., 2020, 37: 199 (in Chinese) [王洁,许炎,刘贵鹏,田永辉,杨建红. 面内双轴应力作用下单层黑磷能带性质研究 [J]. 原子与分子物理学报, 2020, 37: 199]
 
面内双轴应力作用下单层黑磷能带性质研究
Band structure of monolayer black phosphorus under different intraplanar biaxial strain
摘要点击 53  全文点击 9  投稿时间:2019-03-26  修订日期:2019-04-22
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DOI编号   
中文关键词   单层黑磷,平面内双轴应力,能带结构,带隙
英文关键词   monolayer black phosphorus, intraplanar biaxial strain, band structure, band gap
基金项目   国家自然科学基金,甘肃省自然科学基金,中央高校基础研究经费
作者单位E-mail
王洁 兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所教育部磁性与磁性材料重点实验室 wangjie16@lzu.edu.cn 
许炎 兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所教育部磁性与磁性材料重点实验室 xuyan18@lzu.edu.cn 
刘贵鹏 兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所教育部磁性与磁性材料重点实验室 liugp@lzu.edu.cn 
田永辉 兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所教育部磁性与磁性材料重点实验室 Siphoton@lzu.edu.cn 
杨建红 兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所教育部磁性与磁性材料重点实验室 yangjh@lzu.edu.cn 
中文摘要
    通过第一性原理对平面内双轴应力作用下的单层黑磷能带结构进行了计算。双轴拉伸应力作用下单层黑磷始终保持直接带隙性质,双轴压缩应力作用下的单层黑磷则发生了直接带隙转变为间接带隙的现象,当双轴压缩应力增加到7%时单层黑磷带隙闭合。
英文摘要
    In this paper, the effect of intraplanar biaxial strain on the band structure of monolayer black phosphorus (BP) has been studied by using first-principles methods. Under the biaxial tension strain, the monolayer BP is a direct band gap semiconductor. Under the biaxial compression strain, the monolayer of BP changes from direct band gap to indirect band gap. When the biaxial compression strain increases to 7%, the band gap of monolayer BP closes.

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