首 页  |  期刊简介  |  投稿须知  |  专家审稿  |  编者登陆  |  公告信息  |  联系我们  |  English
引用本文格式: Feng Lei,Zhang Jin-Min,Xie Jie,Pan Wang-Heng,Wang Li,He Teng,Chen Qian,Xiao Qing-Quan,Xie Quan. First-principles study on Mn4Si7 doped rare earth elements(Ce/Pr/Nd) [J]. J. At. Mol. Phys., 2020, 37: 425 (in Chinese) [冯磊,张晋敏,谢杰,潘王衡,王立,贺腾,陈茜,肖清泉,谢泉. 稀土元素(Ce/Pr/Nd)掺杂Mn4Si7的第一性原理计算 [J]. 原子与分子物理学报, 2020, 37: 425]
 
稀土元素(Ce/Pr/Nd)掺杂Mn4Si7的第一性原理计算
First-principles study on Mn4Si7 doped rare earth elements(Ce/Pr/Nd)
摘要点击 152  全文点击 35  投稿时间:2019-05-21  修订日期:2019-06-08
查看全文  查看/发表评论  下载PDF阅读器
DOI编号   
中文关键词   Mn4Si7  第一性原理  稀土元素  掺杂  电子结构  光电性质
英文关键词   Mn4Si7  First-principles  Rare earth elements  Doping  Electronic structures  Optical properties.
基金项目   国家自然科学基金项目,贵州省自然科学基金,贵州大学研究生重点课程,贵州省高层次创新型人才培养项目,贵州省留学回国人员科技活动择优资助项目
作者单位E-mail
冯磊 贵州大学 18635882105@163.com 
张晋敏 贵州大学 jmzhang@gzu.edu 
谢杰 贵州大学  
潘王衡 贵州大学  
王立 贵州大学  
贺腾 贵州大学  
陈茜 贵州大学  
肖清泉 贵州大学  
谢泉 贵州大学  
中文摘要
    利用第一性原理,对稀土元素Ce、Pr或Nd掺杂Mn4Si7前后的几何结构、电子结构和光学性质进行了计算与分析. 结果表明,掺杂后Mn4Si7晶格常数变大,禁带宽度明显减小,由于稀土元素特殊的4f层电子的影响,在费米能级附近出现了杂质能级. 掺杂后Mn4Si7的介电函数虚部、吸收系数的主峰均出现红移,红外光区的光跃迁强度明显增强,光吸收系数和光电导率均增大. 说明掺杂稀土元素Ce、Pr或Nd后改善了Mn4Si7在红外光区的光电性能.
英文摘要
    The geometrical structures, electronic structures and optical properties of Mn4Si7 before and after Ce, Pr or Nd doping were calculated and analyzed by first-principles. The results show that after doping, due to the influence of rare earth elements’ special 4f layer electrons, the lattice constants of Mn4Si7 increase and the gap width decreases, impurity levels appear near the Fermi level. Because of doping, the imaginary part of the dielectric function and the main peak of the absorption coefficient of Mn4Si7 all show red shift. The intensity of the optical transition in the infrared region is significantly enhanced, and the optical absorption coefficient and photoconductivity increase. The results indicate that the photoelectric properties of Mn4Si7 in infrared region are improved by doping rare earth elements Ce, Pr and Nd.

您是第 3351860 位访客
版权所有 @ 2006《原子与分子物理学报》编辑部
通讯地址:四川省成都市四川大学原子与分子物理研究所   邮编:成都 610065
电话:QQ: 3094757965  传真:  E-mail:jamp@scu.edu.cn
本系统由北京勤云科技发展有限公司设计