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引用本文格式: Jiang Qing-Gang,Xue Ya-Jie. Electronic structure and optical properties of two-dimensional InSe/SnSe2 vdWHs [J]. J. At. Mol. Phys., 2022, 39: 041009 (in Chinese) [蒋庆刚,薛雅杰. 二维InSe/SnSe2范德华异质结的电子结构和光学特性研究 [J]. 原子与分子物理学报, 2022, 39: 041009]
 
二维InSe/SnSe2范德华异质结的电子结构和光学特性研究
Electronic structure and optical properties of two-dimensional InSe/SnSe2 vdWHs
摘要点击 90  全文点击 14  投稿时间:2021-07-15  修订日期:2021-08-05
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DOI编号   
中文关键词   InSe/SnSe2范德华异质结  电子结构  光学特性  第一性原理
英文关键词   InSe/SnSe2 vdWHs  Electronic structure  Optical properties  First principles
基金项目   
作者单位E-mail
蒋庆刚 河南理工大学鹤壁工程技术学院 jwcjxxx@126.com 
薛雅杰 河南师范大学物理学院  
中文摘要
    本文构建了三种不同堆叠形式下的二维InSe/SnSe2范德华异质结模型,利用基于密度泛函理论的第一性原理方法综合考察了二维InSe/SnSe2三种不同堆叠情况下的几何构型及稳定性,在此基础上选取具有最稳定性能的构型。该异质结呈现出II型能带对齐特征,带隙值为1.118eV,可以实现电子-空穴的有效分离。另外,相比与单层二维InSe/SnSe2范德华异质结的光吸收能力达到明显提升,在紫外光范围内吸收系数达到106 cm-1。研究结果将为相关物理实验及机理研究提供理论基础,对二维 InSe/SnSe2范德华异质结在光电器件中的应用具有重要的物理意义。
英文摘要
    In this paper, three different stacking configurations of two-dimensional(2D) InSe/SnSe2 van der Waals heterostructures(vdWHs) are constructed. The geometrical structures and stability of 2D InSe/SnSe2 vdWHs are investigated through first principles method based on density functional theory, and then the most stable configuration is found. The results show that the vdWHs shows a type-II band alignment with band gap value of 1.118eV, which can effectively separate the electron and hole. Compared with the single-layer, the optical absorption capacity of 2D InSe/SnSe2 vdWHs has been significantly improved, and the absorption coefficient can be up to 106 cm-1 in the ultraviolet zone. These findings can provide theoretical basis for related physical experiments and mechanism research, and have important physical significance for the application of 2D InSe/SnSe2 vdWHs in optoelectronic devices.

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