首 页  |  期刊简介  |  投稿须知  |  专家审稿  |  编者登陆  |  公告信息  |  联系我们  |  English
引用本文格式: Wang Kun,Xiao Qing-Quan,Zhang Jin-Min,Wang Li,He Teng. First-principles calculation of rare Earth element (La、Y) doped GaN [J]. J. At. Mol. Phys., 2020, 37: 453 (in Chinese) [王坤,肖清泉,张晋敏,王立,贺腾. 稀土元素(La、Y)掺杂GaN的第一性原理计算 [J]. 原子与分子物理学报, 2020, 37: 453]
 
稀土元素(La、Y)掺杂GaN的第一性原理计算
First-principles calculation of rare Earth element (La、Y) doped GaN
摘要点击 110  全文点击 22  投稿时间:2018-10-23  修订日期:2018-11-14
查看全文  查看/发表评论  下载PDF阅读器
DOI编号   
中文关键词   GaN  掺杂  电子结构  光学性质  第一性原理  
英文关键词   GaN  Doped  Electronic Structure  Optical Properties  First Principles  
基金项目   国家自然科学基金
作者单位E-mail
王坤 贵州大学大数据与信息工程学院 386722572@qq.com 
肖清泉 贵州大学大数据与信息工程学院 qqxiao@gzu.edu.cn 
张晋敏 贵州大学大数据与信息工程学院 736983583@qq.com 
王立 贵州大学大数据与信息工程学院 991579724@qq.com 
贺腾 贵州大学大数据与信息工程学院 136109725@qq.com 
中文摘要
    摘 要:采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对稀土元素La、Y掺杂GaN的晶格常数、电子结构及光学性质进行了计算与分析。计算结果表明:掺杂改变了GaN的能带结构,未掺杂和Y掺杂形成导带底和价带顶位于G点的直接带隙半导体,而La掺杂和La、Y共掺杂形成导带底位于G点,价带顶位于Q点的间接带隙半导体。可以通过掺杂元素来调制GaN的禁带宽度和带隙类型,掺杂均提高GaN在低能区的静态介电常数、反射率、折射率,使光子的跃迁强度增大,说明稀土元素La、Y掺杂可有效调制GaN的光电性质。
英文摘要
    The lattice constants, electronic structure and optical properties of GaN that single-doped by rare earth elements La,Y and co-doped by La and Y were calculated and analyzed by using the first principle pseudopotential plane wave method based on density functional theory. The results show that the band structure of GaN is changed by doping.the un-doped GaN and doped GaN by Y form direct band gap semiconductor that conduction band bottom and valence band top at same G point, while La single-doped and co-doped by La and Y form indirect band gap semiconductor which conduction band bottom at G point but the valence band top is at Q point. The bandgap width and bandgap type of GaN can be modulated by doping elements, the static dielectric constants,reflectivity and refractive index of GaN in low energy region can be improved and strengthening the transition intensity of photons by doping. Which indicates that the optoelectronic properties of GaN can be effectively modulated by doping rare earth elements La,Y.

您是第 3351964 位访客
版权所有 @ 2006《原子与分子物理学报》编辑部
通讯地址:四川省成都市四川大学原子与分子物理研究所   邮编:成都 610065
电话:QQ: 3094757965  传真:  E-mail:jamp@scu.edu.cn
本系统由北京勤云科技发展有限公司设计