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引用本文格式: Huang Yan-Bin,Ma Ming-Ming,Guo Xiang,Wang Yi,Luo Zi-Jiang,Tang Jia-Wei,Li Zhi-Hong,Zhang Zhen-Dong,Ding Zhao. The effect of substrate temperature on the formation of nanostructures of Ga on Al0.4Ga0.6As surface [J]. J. At. Mol. Phys., 2020, 37: 378 (in Chinese) [黄延彬,马明明,郭祥,王一,罗子江,汤佳伟,李志宏,张振东,丁召. 衬底温度对Ga液滴在Al0.4Ga0.6As表面形成纳米结构的影响 [J]. 原子与分子物理学报, 2020, 37: 378]
 
衬底温度对Ga液滴在Al0.4Ga0.6As表面形成纳米结构的影响
The effect of substrate temperature on the formation of nanostructures of Ga on Al0.4Ga0.6As surface
摘要点击 100  全文点击 18  投稿时间:2019-01-21  修订日期:2019-02-25
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DOI编号   
中文关键词   液滴外延  纳米孔  盘状结构  Al0.4Ga0.6As  激活能
英文关键词   Droplet Epitaxy  Nanohole  diffusion halo  Al0.4Ga0.6As  activation energy.
基金项目   国家自然科学基金
作者单位E-mail
黄延彬 贵州大学大数据与信息工程学院 875904240@qq.com 
马明明 贵州大学大数据与信息工程学院 914945535@qq.com 
郭祥 贵州大学大数据与信息工程学院 516412261@qq.com 
王一 贵州大学大数据与信息工程学院 381429761@qq.com 
罗子江 贵州财经大学信息学院 172787007@qq.com 
汤佳伟 贵州大学大数据与信息工程学院 2108393194@qq.com 
李志宏 贵州大学大数据与信息工程学院 1914106037@qq.com 
张振东 贵州大学大数据与信息工程学院 455563822@qq.com 
丁召 贵州大学大数据与信息工程学院 zding@gzu.edu.cn 
中文摘要
    本文研究了不同衬底温度对Ga液滴在Al0.4Ga0.6As表面形成纳米结构的影响,当300℃≤T≤380℃时,Ga液滴演化成纳米孔(Nanohole)和盘状结构(diffusion halo),纳米结构的尺寸随温度升高而增大。当T≥385℃时,盘状结构消失,形成一定平坦的AlxGa1-xAs薄膜,Ga液滴在界面处继续向下刻蚀直至耗尽,形成平均直径为75nm,平均孔深为5.52nm的纳米孔。本文还通过盘状结构测出平均扩散长度△R,并拟合出Ga原子在Al0.4Ga0.6As表面的激活能EA=0.78(±0.01) eV和扩散前因子D0=0.15(×4.1±1)10-2 cm2s-1。
英文摘要
    In this paper, the effects of substrate temperature on the formation of nanostructures of Ga droplets on the surface of Al0.4Ga0.6As were studied. When 300℃≤T≤380℃, the initial Ga droplets evolve from droplet to nanoholes and diffusion halos, and the sizes of nanostructures increase with increasing temperature. When T≥385℃, the diffusion halos disappear, a flat film of AlxGa1-xAs is formed; while at the interface, the Ga droplets etch constantly until they are completely consumed. Finally, the nanoholes with average diameter of 75 nm and depth of 5.52 nm are formed. The mean diffusion length ΔR of diffusion halos is also measured. The activation energy EA=0.78 (±0.01) eV for Ga on Al0.4Ga0.6As surface and the diffusivity prefactor of D0=0.15(×4.1±1)10-2 cm2s-1 are fitted from the experimental data.

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