首 页  |  期刊简介  |  投稿须知  |  专家审稿  |  编者登陆  |  公告信息  |  联系我们  |  English
引用本文格式: Lv Zhao,Yao Jun-Ping,Tang Jin-Qi,Chen Zhi-Jun. First-principles study of the electronic structure of the 3C-SiC/Mg composite interface [J]. J. At. Mol. Phys., 2022, 39: 046007 (in Chinese) [吕昭,尧军平,唐锦旗,陈致君. 第一性原理研究3C-SiC/Mg复合材料界面的电子结构 [J]. 原子与分子物理学报, 2022, 39: 046007]
 
第一性原理研究3C-SiC/Mg复合材料界面的电子结构
First-principles study of the electronic structure of the 3C-SiC/Mg composite interface
摘要点击 87  全文点击 7  投稿时间:2020-11-12  修订日期:2020-12-18
查看全文  查看/发表评论  下载PDF阅读器
DOI编号   
中文关键词   界面  电子结构  第一性原理
英文关键词   Interface  Electronic structure  First-principles
基金项目   国家自然科学基金
作者单位E-mail
吕昭 南昌航空大学 航空制造工程学院 daraole96@163.com 
尧军平 南昌航空大学 航空制造工程学院 yyyjpsz@126.com 
唐锦旗 南昌航空大学 航空制造工程学院  
陈致君 南昌航空大学 航空制造工程学院  
中文摘要
    基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法对4种3C-SiC(111)/Mg(0001)界面模型进行研究。界面间距和粘附功的计算表明,结构优化之后的界面模型只在z轴方向发生了移动,界面间距发生了不同程度的缩短;中心型模型的稳定性强于顶位型模型,C终端结构的稳定性强于Si终端结构,中心型C终端的界面模型具有最大的粘附功(2.5834 J/m2)和最小的界面间距(1.7193 Å),是4种模型中最稳定的结构。Mulliken电荷、电荷密度分布、差分电荷密度和态密度的计算表明,中心性结构的Si终端和C终端模型界面处存在共价键、离子键和金属键。
英文摘要
    Four kinds of 3C-SiC(111)/Mg(0001)interface models were studied using the first-principle plane wave pseudopotential method based on density functional theory. The calculation of interface spacing and adhesion work shows that the interface model after structural optimization only moves in the Z-axis direction, and the interface spacing is shortened to varying degrees; The stability of the center-site model is stronger than that of the top-site model, and the stability of the C-terminated structure is stronger than that of the Si-terminated structure. The interface model of the center-site C-terminated has the maximum adhesion work (2.5834J/m2) and the minimum interface spacing (1.7193Å), which is the most stable structure among the four models. The calculation of Mulliken population, charge density distribution, charge density difference and density of states shows that there are covalent bonds, ionic bonds and metallic bonds at the interface of Si-terminated and C-terminated models of center-site structure.

您是第 4082883 位访客
版权所有 @ 2006《原子与分子物理学报》编辑部
通讯地址:四川省成都市四川大学原子与分子物理研究所   邮编:成都 610065
电话:QQ: 3094757965  传真:  E-mail:jamp@scu.edu.cn
本系统由北京勤云科技发展有限公司设计